SiC MOSFET Halb- und H-Brücken-Leistungsmodule von Vincotech

Die neuen flowDUAL SiC E1 und fastPACK SiC E1/E2 wurden mit dem Ziel entwickelt, Ladestationen schneller, kleiner und effizienter zu gestalten. Die Module basieren auf den neuesten 650V und 1200V SiC MOSFET Chip-Generationen mit einem RDS(on) von nur 5mOhm. Neben der Optimierung der Leistung legt Vincotech grossen Wert auf die Zuverlässigkeit. Mit der neuen fortschrittlichen Die-Attach-Technologie können diese neuen Module die Lebensdauer im Power Cycling um den Faktor 2 verlängern.

Weitere Vorteile

  • Multi-sourced SiC-Komponenten für mehr Wahlfreiheit und weniger Risiko in der Lieferkette ­
  • Optional integrierte Kondensatoren für verbesserte EMV-Leistung ­
  • Einpressstifte und vorapplizierte Wärmeleitpaste zur Reduzierung der Produktionskosten
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Das Baukastensystem erlaubt es den Integrationsgrad passend für die jeweilige Anwendung zu wählen. Sie entscheiden, ob ein DC-DC Power Supply oder ein Gate Driver Modul genügen oder ob Sie eine fertige Gate Driver Unit benötigen. Unsere Expert:innen unterstützen gerne bei der Auswahl und Zusammenstellung der optimalen Komponenten. Ab sofort können Sie unverbindlich Muster ab unserem Schweizer Lager bestellen!

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Philippe Muller

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