Mitsubishi semi-conducteurs de puissance

Mitsubishi Electric propose une large gamme de semi-conducteurs de puissance couvrant un large éventail d'applications. Sa pensée innovante et ses sites de production modernes permettent à la marque de rester à la pointe du développement de nouveaux matériaux et processus pour la miniaturisation abordable et écologique des modules semi-conducteurs.

Depuis plus de 40 ans, Mitsubishi Electric développe et produit des semi-conducteurs de puissance pour de nombreuses applications, que ce soit pour la commande de moteurs industriels, la technique ferroviaire ou l'industrie automobile. L'entreprise est leader mondial dans le domaine de la technologie IGBT et IPM et produit des modules adaptés à chaque classe de puissance.

Avantages des semi-conducteurs de puissance de Mitsubishi (Kopie)

Fiabilité et longévité
La nouvelle plaque de base, scellée avec de la résine synthétique, remplace une pièce précédemment soudée, ce qui permet de prolonger le circuit thermique et d'augmenter la fiabilité du convertisseur.
Efficacité et miniaturisation
Le développement du transistor bipolaire à grille tranchée sur support (CSTBT™) ; permet de réduire les pertes de tension et de poursuivre la miniaturisation avec l'introduction de l'IGBT de 7e génération.
Excellente gestion de la chaleur

Diode | IPM | IGBT | SiC de Mitsubishi (Kopie)

Type Max. Rating Package
Type MISOP Max. Rating 600V / 3A Package SMD
Type DIPIPM‘s Max. Rating 1200V / 75A Package THD
Type IPM‘s Max. Rating 1200V / 450A Package A / B / C
Type IGBT Modules Max. Rating 1700V / 1800A Package Std / NX
Type HVIGBT Modules Max. Rating 6500V / 2400A Package Std
Type Power MOSFET Modules Max. Rating 150V / 300A Package Divers
Type Diode Modules Max. Rating 6500V / 1500A Package Divers
Type SiC SBD Max. Rating 1200V / 20A Package TO220 / TO247
Type SiC Power Modules Max. Rating 17VV / 1200V Package Std / NX
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Philippe Muller

Directeur des ventes en électronique Contacter

La nouvelle structure de boîtier de l'IGBT de 7e génération offre une plus grande fiabilité et minimise les pertes de tension par rapport à l'IGBT de 6e génération.

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